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    多晶薄膜太陽(yáng)電池發(fā)展

    來源:中機(jī)院   點(diǎn)擊: 4722 次
    太陽(yáng)能電池正在發(fā)生革命性地變化,近年來,業(yè)界已經(jīng)充分掌握了以薄膜取代硅晶制造太陽(yáng)能電池的技術(shù)。專家認(rèn)為,未來5年內(nèi)薄膜太陽(yáng)能電池將大幅降低成本,屆時(shí)這種薄膜太陽(yáng)能電池將得到廣泛應(yīng)用。

      太陽(yáng)能電池正在發(fā)生革命性地變化,近年來,業(yè)界已經(jīng)充分掌握了以薄膜取代硅晶制造太陽(yáng)能電池的技術(shù)。專家認(rèn)為,未來5年內(nèi)薄膜太陽(yáng)能電池將大幅降低成本,屆時(shí)這種薄膜太陽(yáng)能電池將得到廣泛應(yīng)用。

      在各種類型的太陽(yáng)能電池中,晶體硅太陽(yáng)能電池仍然占據(jù)著85%以上的份額,但現(xiàn)在正受到來自薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)的挑戰(zhàn)。近幾年,薄膜太陽(yáng)能電池所占份額有所增加,特別是非晶硅太陽(yáng)能電池與以銅銦鎵硒、碲化鎘為代表的化合物太陽(yáng)能電池增加明顯,這一方面是由于世界各國(guó)在薄膜太陽(yáng)能電池方面持之以恒地研發(fā)投入,特別是在探索低成本、大面積化的薄膜太陽(yáng)能電池方面頗見成效;另一方面是由于光伏市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大,以高純多晶硅為主要原材料的晶體硅太陽(yáng)能電池,受高純多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)和資金壁壘的限制,擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃受到制約;再者,晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)技術(shù)接近成熟,單位質(zhì)量高純多晶硅生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的數(shù)量潛力有限,加之提煉高純多晶硅的耗能較大,就使得晶體硅太陽(yáng)能電池組件的成本下降空間有限,這也在客觀上為薄膜太陽(yáng)能電池的迅速發(fā)展提供了契機(jī)。

      薄膜太陽(yáng)電池不僅價(jià)格低廉,還可以作為大型建筑的透明鑲嵌板,安置在摩天大樓和房頂?shù)年?yáng)面,比太陽(yáng)能電池板更持久耐用,并且更美觀。

      綜上所述,由于材料消耗少、成本低、性能穩(wěn)定、光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到10%以上,薄膜太陽(yáng)電池受到世界各國(guó)越來越多的關(guān)注。目前薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)展的速度已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過多晶硅電池,很多業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為薄膜太陽(yáng)能電池取代多晶硅電池是必然趨勢(shì),世界上至少有40個(gè)國(guó)家正在開展對(duì)下一代低成本、高效率的薄膜太陽(yáng)能電池實(shí)用化的研究開發(fā)。

      薄膜太陽(yáng)電池的體系包括硅基、銅銦鎵硒(CuIn1-XGaXSe2,簡(jiǎn)寫為CIGS)、碲化鎘(CdTe)以及摻雜聚合物材料等(如表1所示),這3種薄膜太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率有很大區(qū)別,其中多晶薄膜太陽(yáng)電池CdTe和CIGS具有較大的優(yōu)勢(shì),通過詳細(xì)的成本計(jì)算(如表2所示),實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)時(shí),這2種電池在成本方面也非常有競(jìng)爭(zhēng)力(如表3所示)。

    注:1是指玻璃襯底的CIGS薄膜太陽(yáng)電池;2是指不銹鋼襯底的CIGS薄膜太陽(yáng)電池。

      薄膜太陽(yáng)電池組件完全適用于“并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)”、“離網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)”和“光伏與建筑物集成”3大太陽(yáng)電池市場(chǎng),如圖1所示。

    圖1  薄膜太陽(yáng)電池組件的應(yīng)用

      為了更好地了解CIS和CdTe太陽(yáng)電池和組件技術(shù),首先來了解一下目前世界最高水平的太陽(yáng)電池和組件,表4列出了CIGS薄膜太陽(yáng)電池的最好結(jié)果,表5列出了世界上各太陽(yáng)電池組織和公司性能最好的組件,其中很多測(cè)試數(shù)據(jù)由美國(guó)國(guó)家再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)提供。

    注:1.*代表美國(guó)可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)測(cè)試結(jié)果

                            2.CIGSS=Cu(In,Ga)(Se,S)2。

     

    一、技術(shù)基礎(chǔ)

      了解太陽(yáng)電池的工作原理有利于商業(yè)化生產(chǎn)中組件性能的提高、成品率和工藝穩(wěn)定性,得到高性能CIGS和CdTe薄膜太陽(yáng)電池及組件的關(guān)鍵在于其制備研究,在一些科技報(bào)道中已公開論述了高性能太陽(yáng)電池的制備過程甚至包括一些細(xì)節(jié)。但是這些對(duì)于商業(yè)化生產(chǎn)還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,這可能是由于電池制備過程和電池性能的相關(guān)聯(lián)系及其機(jī)理并不十分清楚。很多研究者正在研究制備過程和材料表征對(duì)電池性能的影響,很多報(bào)道關(guān)注CIGS和CdTe吸收層材料的微觀和納米結(jié)構(gòu)表征,詳細(xì)分析了PN結(jié)的形成等。

      1.CIGS技術(shù)

      CIGS薄膜太陽(yáng)電池的典型結(jié)構(gòu)為MgF2/ZnO/CdS/CIGS/Mo/玻璃,并以襯底支撐,通常以低廉的鈉鈣玻璃為襯底進(jìn)行組件制作,另外,聚合物、金屬箔、不銹鋼等也可用作襯底。目前,CIGS薄膜太陽(yáng)電池的世界最高記錄由NREL保持,轉(zhuǎn)換效率為19.9%(AM1.5)。當(dāng)緩沖層以單一的ZnS(O,OH)或CdZnS(O,OH)替代傳統(tǒng)的CdS緩沖層,則最高轉(zhuǎn)換效率超過18%;吸收層厚度為1.1mm的CIGS薄膜太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率為17.1%(全面積),這些數(shù)據(jù)都列于表4中。CIGS吸收層薄膜采用物理氣相沉積法,緩沖層CdS或CdZnS(O,OH)采用化學(xué)浴法(CBD),ZnO薄膜采用化學(xué)氣相沉積法或?yàn)R射法制備。

      新的技術(shù)進(jìn)展是采用真空沉積法制備緩沖層薄膜以替代傳統(tǒng)的化學(xué)浴法。在吸收層制備中,除了傳統(tǒng)的蒸發(fā)法外,又開發(fā)了另2條技術(shù)路線,其中之一是真空沉積法(如濺射法)制備Cu-In-Ga金屬預(yù)制膜,而后用H2Se氣體硒化制得CIGS薄膜;另一技術(shù)途徑是以納米“墨水”采用印刷的方法制備。然而之后的研究表明以印刷法制備的CIGS薄膜太陽(yáng)電池器轉(zhuǎn)換效率未能超過13%;另一缺點(diǎn)是濕法制備的CIGS吸收層需用氫化物腐蝕才能得到好的性能。德國(guó)的Sulfurcell公司采用該項(xiàng)濕法技術(shù)開始規(guī)模化生產(chǎn)并已有首批商業(yè)化產(chǎn)品。有些研究工作以CuGaSe2和CuInSe2為吸收層,其中佛羅里達(dá)太陽(yáng)能中心以CuInSe2為吸收層,制得的太陽(yáng)電池最高轉(zhuǎn)換效率為11.99%(CIS世界記錄)。研究表明,CIGS薄膜太陽(yáng)電池的發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)是將吸收層厚度降至1mm或更薄,這將減少稀有金屬的用量,有助于降低成本、提高生產(chǎn)力;吸收層厚度可減薄至0.7mm,若繼續(xù)減薄將影響太陽(yáng)電池的開路電壓、影響因子和短路電流,從而影響性能。

      2.CdTe技術(shù)

      CdTe薄膜太陽(yáng)電池的典型結(jié)構(gòu)為玻璃/SnO2/CdS/CdTe/電極,目前,CdTe薄膜太陽(yáng)電池的世界最高記錄由NREL保持,轉(zhuǎn)換效率為16.5%。SnO2前電極被Cd2SnO4取代,同時(shí)采用半透明底電極,CdTe的最高光電轉(zhuǎn)換效率為13.9%。NREL和第一太陽(yáng)能公司(First Solar)所生產(chǎn)性能良好的CdTe薄膜太陽(yáng)電池均是在高溫(>500°C)下真空升華沉積制得,另外,其他技術(shù)如電鍍法也曾被用于制備CdTe薄膜太陽(yáng)電池。很多研究工作集中于CdTe薄膜的微觀納米結(jié)構(gòu)、CdTe吸收層、CdS/CdTe界面的相互擴(kuò)散(尤其是S往CdTe薄膜中的擴(kuò)散)、CdCl2氣體的加熱方式、Cu的摻入等對(duì)薄膜太陽(yáng)電池性能所產(chǎn)生的影響。其中有意思的是,CdTe的開路電壓可以在不影響影響因子和短路電流的情況下得到提高,由850mV提高至900mV。在規(guī)模化生產(chǎn)中,2007年First Solar將其60cm×120cm的組件性能由50~55W提升至55~65W。

      3.組件可靠性

      目前廣泛認(rèn)為CIGS和CdTe比晶體硅或非晶硅對(duì)潮氣更敏感,要求更好的組件封裝。如果沒有這些措施,CIGS和CdTe組件通過“濕—熱”測(cè)試(暴露在85°C,85%相對(duì)濕度的環(huán)境下1000h)是很困難的。NREL的研究表明,在不同的天氣條件下暴露在65~100°C下,光照對(duì)未封裝太陽(yáng)電池的性能將產(chǎn)生影響;而對(duì)于組件來說,太陽(yáng)電池的連接也將對(duì)其長(zhǎng)期性能產(chǎn)生影響。對(duì)于CdTe太陽(yáng)電池而言,完整太陽(yáng)電池制備(包括底電極)的詳細(xì)過程對(duì)于得到高性能、高可靠的組件是非常必要的。在佛羅里達(dá)太陽(yáng)能中心和德克薩斯州的A&M大學(xué)開展了一項(xiàng)真實(shí)環(huán)境測(cè)試,將薄膜光伏組件暴露在又熱又潮濕的天氣下,測(cè)試組件的長(zhǎng)期性能,實(shí)驗(yàn)表明,當(dāng)CIGS和CdTe組件具有良好封裝時(shí)可通過“濕—熱”測(cè)試。

    二、薄膜光伏的商業(yè)化

      在過去的幾年,世界光伏市場(chǎng)以每年45%的增幅在快速發(fā)展,不斷有新的公司進(jìn)入市場(chǎng),基于CIGS和CdTe的薄膜光伏市場(chǎng)化也取得了進(jìn)展,并在很多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用(包括屋頂計(jì)劃和建筑物等)。2006年,整個(gè)世界范圍內(nèi)薄膜光伏的市場(chǎng)份額小于6%,然而在美國(guó)薄膜光伏的市場(chǎng)份額高達(dá)44%,這主要得益于位于奧爾良的First Solar和密歇根的United Solar,這2個(gè)公司在2006年取得長(zhǎng)足進(jìn)展。

      世界上很多薄膜光伏公司從事a-Si、CIGS和CdTe的商業(yè)化發(fā)展,美國(guó)也有很多致力于此的公司,在CIGS和CdTe研究方面取得的進(jìn)展和技術(shù)進(jìn)步足以支持其往兆瓦級(jí)的生產(chǎn)轉(zhuǎn)化。在美國(guó)有16家公司從事非晶硅和薄硅的商業(yè)化進(jìn)程,很顯然,其中的領(lǐng)跑者為密歇根的Uni-Solar,其在2006年產(chǎn)能為60MW,而2007年的產(chǎn)能達(dá)到120MW。美國(guó)薄膜光伏的快速發(fā)展得益于美國(guó)國(guó)家再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)在多結(jié)太陽(yáng)電池技術(shù)上的成就;Applied Material則可提供單結(jié)非晶硅和納米硅疊層太陽(yáng)電池“交鑰匙”工程,迄今為止,已在包括中國(guó)、印度、德國(guó)、西班牙等世界各地裝機(jī)超過200MW。目前美國(guó)有15家公司采用不同的吸收層沉積技術(shù)開展CIGS業(yè)務(wù),機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)在這兒并存;同時(shí)有8個(gè)公司從事CdTe薄膜光伏的市場(chǎng)化運(yùn)作。

      First Solar在薄膜光伏技術(shù)領(lǐng)域是世界上的佼佼者,已在奧爾良建立了產(chǎn)能90MW的CdTe薄膜太陽(yáng)電池組件的生產(chǎn)線(如圖2所示),最近打算在德國(guó)新建年產(chǎn)120MW的生產(chǎn)線;同時(shí),將于2009年在馬來西亞建立年產(chǎn)240MW的生產(chǎn)線;因此,F(xiàn)irst Solar在2009年的產(chǎn)能將達(dá)到450MW,成為世界上最大的太陽(yáng)電池生產(chǎn)廠商。NREL早在1991年便首次授權(quán)給奧爾良的Solar Cells Inc.來發(fā)展CdTe薄膜太陽(yáng)電池及其組件技術(shù),并且從技術(shù)上支持Solar Cells Inc.和First Solar開展商業(yè)化生產(chǎn)。圖3列出了First Solar的CdTe組件的生產(chǎn)成本,生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大后,成本從2004年的2.94美元/W(6MW)降至1.25美元/W(90MW)。預(yù)計(jì)在2012年生產(chǎn)規(guī)模再擴(kuò)大、成品率和組件效率提高后成本可降至0.60美元/W。

    注:圖中 “Q4’06”是指2006年第4季度。

    圖3  First Solar的CdTe薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)能、價(jià)格與時(shí)間的關(guān)系

      目前世界上有5個(gè)公司致力于CIGS薄膜光伏的商業(yè)化生產(chǎn),主要是德國(guó)的Wurth Solar、美國(guó)的Global Solar、日本本田、日本昭和殼牌和德國(guó)的Sulfurcell,其年產(chǎn)量介于5MW至27MW之間。同時(shí)有34家公司正在開發(fā)CIGS薄膜太陽(yáng)電池生產(chǎn)技術(shù),采用了約10種不同的吸收層沉積技術(shù)。在生產(chǎn)中,不論吸收層是采用共蒸發(fā)法還是兩步法(如濺射后硒化),在所有技術(shù)路線中均采用濺射法制備Mo底電極以及濺射或化學(xué)氣相沉積法制備ZnO薄膜。

    三、亟待突破的關(guān)鍵技術(shù)

      薄膜光伏技術(shù)取得新進(jìn)展還需突破幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),在CIGS薄膜光伏技術(shù)中,以下是其降低成本、提高可靠性的6個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和技術(shù)難點(diǎn):

      1.CIGS吸收層薄膜制備的設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化;

      2.組件效率的提高;

      3.柔性CIGS組件的防潮;

      4.為獲得高性能電池和組件所需的在襯底上有選擇地沉積CIGS薄膜的技術(shù)路線;

      5.1mm甚至更薄的吸收層薄膜;

      6.CIGS吸收層的大面積成膜中組分符合化學(xué)計(jì)量及其薄膜的均勻性。

      而在CdTe薄膜光伏技術(shù)中,5個(gè)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)為:

      1.吸收層薄膜制備的設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化;

      2.提高組件效率;

      3.底電極的穩(wěn)定性;

      4.減薄吸收層的厚度至1mm或更薄;

      5.大面積成膜的均勻性控制。

    四、應(yīng)用和生產(chǎn)能力

      薄膜組件(包括非晶硅)首次可與晶體硅在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng),盡管薄膜光伏的轉(zhuǎn)換效率低,但其成本低廉使得其大組件(超過20kW)的整體價(jià)格低。隨著薄膜光伏技術(shù)的成熟,大容量薄膜光伏組件被成功安裝和應(yīng)用。First Solar繼成功安裝了6MW的CdTe薄膜光伏電站后,又和德國(guó)的Juwi Solar共同在德國(guó)的Saxony安裝了40MW的CdTe薄膜光伏電站(如圖4所示),預(yù)計(jì)將于2009年初完成,在這個(gè)項(xiàng)目完成后,其將成為世界上最大的光伏電站,該項(xiàng)目投資額高達(dá)1.3億歐元,采用的光伏組件價(jià)格為3.25歐元/W,這是迄今為止世界上最廉價(jià)的光伏系統(tǒng)。圖5所示為日本本田在建筑物上安裝的CIGS薄膜太陽(yáng)電池,組件功率為22kW。

    圖4  德國(guó)Saxony的40MW CdTe薄膜太陽(yáng)電池電站(將于2009年初建成)

      預(yù)計(jì)到2010年,世界上薄膜光伏的產(chǎn)能將超過3700MW,其中美國(guó)的產(chǎn)能為1127MW、日本為1312MW、歐洲為793MW以及亞洲其他國(guó)家的為472MW。

    五、概要和展望

      不論是非晶硅還是碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池在商業(yè)市場(chǎng)中都取得了快速的發(fā)展,幾個(gè)CIGS薄膜太陽(yáng)電池公司也進(jìn)入了商業(yè)化市場(chǎng)。報(bào)道顯示,很多薄膜光伏企業(yè)計(jì)劃進(jìn)入市場(chǎng),世界薄膜光伏生產(chǎn)能力在2010年將達(dá)到3700MW,其中2009年First Solar將年產(chǎn)450MW碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池,2010年Sharp產(chǎn)能將達(dá)1000MW非晶硅薄膜太陽(yáng)電池。在不久的將來,如此大規(guī)模的生產(chǎn)必將降低薄膜光伏組件的價(jià)格,使其在并網(wǎng)發(fā)電中具有競(jìng)爭(zhēng)力。

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